阙端麟

2013-10-17 00:00:00

  半导体材料学家。1928年5月19日生,福建福州人。1951年8月毕业于厦门大学电机系,毕业后留校任教。1953年调浙江大学。现任浙江大学教授、浙江省政协副主席、浙江省科协主席。
   他是国内较早开始半导体材料探索的研究者之一。1954年开始了温差电材料研究,试制成温差电发电机。1959年开始提纯硅烷及制备高纯硅的研究,1964年在国内首先用硅烷法制成纯硅,随后在浙大组成扩大的研究课题组,完成了高纯硅烷及多晶硅生产的成套技术在国内推广,是我国20多年来生产高纯硅烷的主要方法,该成果于1980年获国家发明三等奖。进而研究取得了高阻探测器级硅单晶。他研究发展了单色红外光电导衰减硅少子寿命测试仪,1988年获国家发明三等奖。他研究成功减压充氮直拉硅单晶技术,取得中国发明专利7项,该成果于1989年获国家发明二等奖。
   1991年当选为中国科学院院士(学部委员)。